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東芝推出應用於工業設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器

2025-3-6 來（lái）源：東芝作者：-

中國上海，2025年3月6日（rì）——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今（jīn）日（rì）宣布，最新推（tuī）出一（yī）款可用於（yú）驅動碳化矽（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器（qì）——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的（de）輸出電流，采用小型SO8L封裝（zhuāng）並提供（gòng）有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。

在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒（lè）電流[1]可能會產生（shēng）柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見（jiàn）的（de）保護措施有（yǒu），在柵極（jí）關閉時，對柵極施加負電壓。

對（duì）於部分SiC MOSFET而言，具有比矽（Si）MOSFET更高的電壓、更低的導通電（diàn）阻以及更快的開關特性，但柵（shān）極和源極之間可能無法施加足夠的（de）負電壓。在這種情況下，有源米勒鉗位（wèi）電路的應用使米勒（lè）電（diàn）流從柵極流向地（dì），無需施加負（fù）電壓即可防止短路。然而（ér）由於部（bù）分削減成本的設計，導致其在IGBT關斷時減少用於柵極的（de）負電壓（yā）。而且在這種情況下，內（nèi）建有源米勒鉗位的柵極驅動器（qì）是可以考慮的選項（xiàng）。

TLP5814H內建有源米勒鉗位電路，因（yīn）此無需為負電壓和外部有源米勒鉗位電路提供額外的電源。這不僅為係統提供安全功能（néng），而且還可通過減少外部電路來助（zhù）力（lì）實現係統的最小化。有源（yuán）米勒鉗位電路的導通電阻（zǔ）典型值為0.69 Ω，峰值鉗位灌電流額定值為6.8 A，因（yīn）此非常適合作為SiC MOSFET的柵極驅動器，SiC MOSFET對（duì）柵極電壓變化非常敏感。

TLP5814H通過（guò）增強輸入端紅外發射二極管的光輸出並優化光電檢測器件（光電二極管陣列）的設計實現了–40 °C至125 °C的額定工作溫度，從而可提高光耦合效率。因此，麵對嚴格熱管理（lǐ）的工業設備，比如光伏（PV）逆變器（qì）和不間斷電源（UPS）等（děng）是十分適（shì）合的。此外，其傳輸延遲時間和傳輸延遲偏差也規定在工（gōng）作溫度額定值範圍內。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm（典型值）的小型SO8L封裝有助於提高係統電路板的部件布局靈活性。此外，它還支（zhī）持8.0 mm的最小爬電距離，進而可將其用於需要高絕緣性能的應用。

未來東芝將繼續開（kāi）發光（guāng）電耦合器（qì）產（chǎn）品，助力（lì）增強工業設備的安全功能（néng）。

 應用（yòng）：

工業設備

- 光伏逆變器、UPS、工業逆變器（qì）以（yǐ）及AC伺服驅動等